本章目标
(1) 介绍伊辛模型及其物理背景;(2) 用转移矩阵严格求解一维伊辛模型,说明它为什么没有相变;(3) 用能量与熵的竞争说明二维有相变;(4) 建立平均场理论(外斯分子场),求出它预言的临界行为;(5) 说明平均场是自由能的变分上界,并在无穷程极限下是严格的;(6) 用克拉默斯–瓦尼尔对偶严格求出二维伊辛模型的临界温度,并与昂萨格的严格结果比较;(7) 用格气模型把液–气相变与伊辛模型联系起来。
§18.1伊辛模型
在晶格的每个格点 i 上放一个只能取两个值的"自旋" si=±1,能量为
H=−J⟨ij⟩∑sisj−hi∑si(18.1)
⟨ij⟩ 表示对最近邻格点对求和,每对只算一次;每个格点有 q 个最近邻(一维链 2,正方晶格 4,三角晶格 6,简单立方 6,体心立方 8,面心立方 12)。J>0 时相邻自旋平行的能量较低(铁磁性),J<0 时反平行较低(反铁磁性);h=μmB 是外磁场的作用(§6.2)。
物理背景。由 §P2.7,相邻磁性离子之间的交换作用具有 −ℏ22JexS^1⋅S^2 的形式。在具有强单轴各向异性的晶体中(例如 FeF2),自旋只能沿某个轴取向,只剩下 z 分量之间的耦合,就得到 (18.1)。伊辛模型还可以描述二元合金与格气(§18.7):凡是"每个单元有两种状态、近邻之间有相互作用"的系统,都可以用它描述。
热力学。Z=∑{s}e−βH,对 2N 种自旋组态求和;每个自旋的平均磁化为 m=⟨si⟩=N1∂(βh)∂lnZ。相互作用把相邻自旋耦合在一起,Z 不能分解成单自旋配分函数的乘积。
涨落与磁化率。记 M=∑isi。H 通过 −hM 依赖于 h,所以对 ⟨M⟩=∑Me−βH/Z 求导:
∂h∂⟨M⟩=β(⟨M2⟩−⟨M⟩2)(18.2)
对平移不变的系统,每个自旋的磁化率为
χ≡∂h∂m=βj∑(⟨s0sj⟩−m2)(18.3)
磁化率等于自旋关联之和:χ 很大意味着自旋之间有长程关联。这与 (4.13)、(8.7)、(P3.3) 是同一个结构,在第19、24章中会一再出现。
对称性与自发磁化。h=0 时,把所有自旋同时反号 si→−si 不改变 H,所以对任何有限的 N,严格地有 ⟨M⟩=0。有物理意义的自发磁化定义为
m0=h→0+limN→∞limm(h,N)(18.4)
两个极限的次序不能交换:先取热力学极限,再让外场趋于零。物理上,一个宏观的磁体一旦沿某个方向磁化,要整体翻转就必须越过一个随尺寸增大的自由能势垒,在任何可观测的时间内都不会发生。哈密顿量具有的对称性在平衡态中不再表现出来,称为自发对称性破缺。
§18.2一维伊辛模型:转移矩阵
考虑 N 个自旋排成一个环(周期性边界条件 sN+1=s1)。把外场项对称地分给相邻的两个键:
e−βH=i=1∏NT(si,si+1),T(s,s′)=exp[βJss′+2βh(s+s′)](18.5)
把 T 看成一个 2×2 矩阵(行、列分别对应 s,s′=+1,−1):
T=(eβ(J+h)e−βJe−βJeβ(J−h))
对中间的自旋求和就是矩阵乘法,例如 ∑s2T(s1,s2)T(s2,s3)=(T2)(s1,s3),所以 Z=∑s1(TN)(s1,s1)=TrTN。T 是实对称矩阵,可以正交对角化(提示 B2):T=Odiag(λ+,λ−)OT,于是 TN=Odiag(λ+N,λ−N)OT,TrTN=λ+N+λ−N(迹在相似变换下不变)。本征值由 det(T−λ)=0 求出:λ2−2λeβJcoshβh+2sinh2βJ=0,
λ±=eβJcoshβh±e2βJsinh2βh+e−2βJ(18.6)
(根号内用了 e2βJcosh2βh−2sinh2βJ=e2βJsinh2βh+e−2βJ。)N→∞ 时 (λ−/λ+)N→0,lnZ=Nlnλ+。求导(链式法则)得
m=∂(βh)∂lnλ+=sinh2βh+e−4βJsinhβh(18.7)
- J=0 时 m=tanhβh,回到 (6.6)。
- h→0 时,对任何 T>0 都有 m→0:一维伊辛模型在有限温度下没有自发磁化,没有相变。
- 弱场下 m≈βhe2βJ,零场磁化率
χ=βe2βJ(18.8)
只在 T→0 时(指数式地)发散:可以说"临界温度为零"。零场时 λ+=2coshβJ,F=−NkBTln(2coshβJ) 对一切 T>0 都是光滑的;热容 C=NkB(βJ)2/cosh2βJ 只有一个宽的极大,没有奇异性。
关联函数。用一条开放的链(N 个自旋,N−1 个键)最方便。令 τi=sisi+1(i=1,…,N−1)。给定 s1 与全部 τi,就可以依次确定 si+1=siτi,所以 (s1,τ1,…,τN−1) 与原来的自旋组态一一对应。零场时 e−βH=∏ieβJτi,各个键变量相互独立,Z=2(2coshβJ)N−1,⟨τi⟩=tanhβJ。由于 si2=1,sisi+r=τiτi+1⋯τi+r−1,所以
⟨sisi+r⟩=(tanhβJ)r≡e−r/ξ,ξ=−lntanhβJ1(18.9)
ξ 称为关联长度(以晶格常数为单位)。低温下 tanhβJ=1+e−2βJ1−e−2βJ≈1−2e−2βJ,所以
ξ≈21e2βJ(T→0)(18.10)
关联长度在低温下很大,但在任何 T>0 时都有限:远处的自旋是无关的。检验 (18.3):记 t=tanhβJ,χ=β[1+2∑r≥1tr]=β1−t1+t=βe2βJ(用了 1−tanhx1+tanhx=e2x),与 (18.8) 一致。
§18.3为什么一维没有相变而二维有:能量与熵的竞争
一维。从全部向上的状态出发,在链中某处造一个"畴壁"(一个反平行的键):能量增加 2J,而畴壁可以放在约 N 个位置中的任何一个,熵增加约 kBlnN。自由能的变化 ΔF≈2J−kBTlnN 对足够长的链总是负的:畴壁会自发地出现,长程序被破坏。平衡时畴壁的密度约为每个键 e−2βJ,畴壁之间的典型距离约为 e2βJ,与 (18.10) 的关联长度一致。
二维(佩尔斯论证,1936)。在正方晶格的有序态中翻转一块区域,它的边界是对偶晶格上一条长为 L 的闭合曲线,能量代价为 2JL。长为 L 的闭合曲线有多少条?从某一点出发,每一步最多有 3 个方向可走(不能立即折返),所以经过给定区域的这种曲线最多约有 N⋅3L 条。于是
ΔF≈2JL−kBT(Lln3+lnN)
对大的翻转区域(L 很大),每单位边界长度的自由能为 2J−kBTln3。当 kBT<2J/ln3≈1.82J 时,它是正的:大的翻转区域受到抑制,有序态稳定。所以二维伊辛模型在低温下有长程序,存在有限温度的相变(严格的 kBTc=2.269J 见 §18.6)。这个论证后来被格里菲斯(1964)与多布鲁申(1965)严格化。
关键的区别在于:d 维中一块区域的边界代价正比于 Ld−1,随区域增大而增大;一维中边界只是一个点,代价固定为 2J,敌不过随 lnN 增长的熵。
连续对称性。若自旋可以在平面内连续转动(XY 模型)或在三维空间中转动(海森伯模型),长波的"自旋波"几乎不需要能量就能破坏长程序。默明与瓦格纳(1966)证明:对于短程相互作用,具有连续对称性的系统在 d≤2 时,任何有限温度下都没有长程序。二维 XY 模型仍有一种特殊的相变(别列津斯基–科斯特利茨–索利斯相变,1971–1973),本讲义不展开。
§18.4平均场理论
外斯分子场(1907)。每个自旋所受的近邻作用,用近邻自旋的平均值代替。写 si=m+δsi,则
sisj=m2+m(δsi+δsj)+δsiδsj=m(si+sj)−m2+δsiδsj
忽略涨落的乘积 δsiδsj(即忽略涨落之间的关联),并用 ∑⟨ij⟩(si+sj)=q∑isi(每个格点属于 q 个键)与键数 Nq/2:
HMF=−(qJm+h)i∑si+2NqJm2(18.11)
现在每个自旋独立地处在有效场 heff=h+qJm 中。由 (6.6),⟨si⟩=tanhβheff,而它又必须等于 m:
m=tanhβ(h+qJm)(18.12)
这是一个自洽方程。每个自旋的平均场自由能为
f(m)=2qJm2−kBTln[2coshβ(qJm+h)](18.13)
∂f/∂m=qJm−qJtanhβ(qJm+h)=0 正是 (18.12):自洽解是 f(m) 的驻点,稳定的解使 f 极小(§18.5 说明这样做的根据)。
相变。h=0 时 m=tanh(βqJm)。作图:直线 y=m 与曲线 y=tanh(βqJm) 的交点。曲线在原点的斜率为 βqJ:若 βqJ≤1,只有 m=0;若 βqJ>1,另有两个解 ±m0,它们的 f 更低。所以
kBTc=qJ(18.14)
y=my=tanhβ(h+qJm)自由能最低的解其余的解 βqJ=Tc/T—
图 18.1左:自洽方程 (18.12) 的图解,交点就是解。βqJ>1 时曲线在原点比直线陡,出现非零解。右:自由能最低的解随温度的变化,虚线是亚稳的解;h=0 时两支 ±m0 的自由能相同。
临界行为。
- 自发磁化:令 τ=Tc/T,在 Tc 附近用 tanhx≈x−x3/3:m=τm−31τ3m3,除以 m 得 m2=3(τ−1)/τ3,即
m0≈3(1−TcT)1/2(18.15)
- 磁化率:对 (18.12) 求 h 的导数,χ=β(1−m2)(1+qJχ),所以
χ=1−βqJ(1−m2)β(1−m2)(18.16)
T>Tc 时 m=0:
χ=kB(T−Tc)1(18.17)
这就是居里–外斯定律:与居里定律 (P3.5) 相比,T 换成了 T−Tc。T<Tc 时,记 ϵ=1−T/Tc,βqJ≈1+ϵ,1−m2≈1−3ϵ,分母 ≈1−(1+ϵ)(1−3ϵ)≈2ϵ:
χ≈2kB(Tc−T)1(18.18)
- 临界等温线:T=Tc 时 βqJ=1,由 (18.12),βh=artanhm−m≈m3/3:
h≈3kBTcm3(18.19)
- 热容:零场时由 (18.11),⟨H⟩=−qJm⋅Nm+NqJm2/2=−NqJm2/2。T>Tc 时 m=0,能量与热容都为零(平均场完全忽略了近邻之间的短程序);T 略低于 Tc 时 ⟨H⟩≈−23NqJ(1−TcT),所以热容在 Tc 处有一个跃变:
ΔC=23NkB(18.20)
与第17章的范德瓦尔斯气体比较:序参量 ∝(Tc−T)1/2,响应函数 ∝∣T−Tc∣−1,临界等温线 h∝m3——两个完全不同的系统给出完全相同的临界行为。这不是巧合,第19章将说明原因。
与严格结果比较(kBTc/J):
| 晶格 | q | 平均场 | 严格值或数值结果 |
|---|
| 一维链 | 2 | 2 | 0(§18.2) |
| 蜂窝晶格 | 3 | 3 | 1.519(严格) |
| 正方晶格 | 4 | 4 | 2.269(严格,§18.6) |
| 三角晶格 | 6 | 6 | 3.641(严格) |
| 简单立方 | 6 | 6 | 4.511 |
| 体心立方 | 8 | 8 | 6.355 |
| 面心立方 | 12 | 12 | 9.797 |
平均场总是高估 Tc:被它忽略的涨落会破坏有序。维数越高、近邻越多,每个自旋"看到"的平均越可靠,平均场越准确;在一维它完全错了。
§18.5平均场的根据:变分原理与无穷程模型
博戈留波夫不等式。对任意的"试探"哈密顿量 H0,有
F≤F0+⟨H−H0⟩0(18.21)
其中 F0 与 ⟨⋅⟩0 是按 H0 计算的自由能与平均。证明:Z=∑e−βH0e−β(H−H0)=Z0⟨e−β(H−H0)⟩0≥Z0e−β⟨H−H0⟩0,再取 −kBTln。不等号来自下面的詹森不等式。
詹森不等式
若 g 是凸函数,则 ⟨g(X)⟩≥g(⟨X⟩)。证明:凸函数位于它任一点切线的上方,g(x)≥g(x0)+g′(x0)(x−x0);取 x0=⟨X⟩ 并对 X 的分布求平均,右边第二项平均为零。这里用的是 g(x)=ex。(详见 §C2.5。)
取试探哈密顿量 H0=−heff∑isi(独立自旋,heff 作为变分参数):F0=−NkBTln(2coshβheff),m≡⟨si⟩0=tanhβheff;自旋相互独立,⟨sisj⟩0=m2,所以 ⟨H⟩0=−NqJm2/2−Nhm,⟨H0⟩0=−Nheffm。于是 F≤Φ(heff),
Φ=−NkBTln(2coshβheff)−2NqJm2−Nhm+Nheffm
对 heff 求极小:dheffdΦ=−Nm+dheffdmN(heff−qJm−h)+Nm=0,即 heff=h+qJm——正是 (18.12);代回得 Φ=Nf(m),正是 (18.13)。所以平均场自由能是"独立自旋"这一族试探态所能给出的最好的上界;它忽略的,正是自旋之间的关联。
无穷程模型(居里–外斯模型)。设每个自旋与所有其他自旋都以 J0/N 的强度相互作用:H=−NJ0∑i<jsisj−hM=−2NJ0M2−hM+ 常数(用了 ∑i<jsisj=(M2−N)/2)。能量只依赖于 M,所以可以先对 M 相同的组态求和。M=Nm 的组态有 (N(1+m)/2N) 个;由 (3.11),取 x=(1+m)/2,它的对数为 Ns(m),
s(m)=ln2−21[(1+m)ln(1+m)+(1−m)ln(1−m)]
于是 Z=∑me−βNfCW(m),
fCW(m)=−2J0m2−hm−kBTs(m)(18.22)
由拉普拉斯方法 (2.13),在热力学极限下 F=NminmfCW(m) 严格成立。用 s′(m)=−21ln1−m1+m=−artanhm,极小条件为 kBTartanhm=J0m+h,即 m=tanhβ(J0m+h)——与 (18.12) 完全相同(qJ→J0)。所以当每个自旋与无穷多个自旋同等地相互作用时,平均场理论是严格的。fCW(m) 是"约束在给定 m 时的自由能";把 s(m)≈ln2−m2/2−m4/12 代入:
fCW≈−kBTln2+2kB(T−Tc)m2+12kBTm4−hm(kBTc=J0)
m2 项的系数在 Tc 处变号——这正是第19章朗道理论的出发点。T<Tc 时 fCW 是双阱,不是凸函数。对短程相互作用的真实系统,若把它当作近似的约束自由能,则与 §17.5 一样,零场下真正的自由能是它的凸包,对应于向上与向下两种磁畴的共存(无穷程模型本身没有空间结构,不存在畴壁)。
§18.6二维伊辛模型:对偶性与严格的临界温度
高温展开。对 ss′=±1,有 eKss′=coshK+ss′sinhK=coshK(1+tss′),其中 K=βJ,t=tanhK。正方晶格有 N 个格点、2N 个键(周期性边界),零场时
Z=(coshK)2N{s}∑⟨ij⟩∏(1+tsisj)
把乘积展开:每个键要么取 1,要么取 tsisj,所以每一项对应一组被选中的键(一个"图" G),其值为 t∣G∣∏isidi,di 是在格点 i 相交的被选中的键数。对每个 si=±1 求和时,∑ssd 在 d 为偶数时等于 2,为奇数时等于 0。所以只有每个顶点都连着偶数条键的图(由闭合回路组成的图)有贡献:
Z=2N(coshK)2NG 闭合∑t∣G∣(18.23)
高温时 t 很小,主要贡献来自小回路(最小的是围绕一个方格的 4 个键)。
低温展开。基态是全部向上或全部向下(能量 −2NJ)。对任一组态,在对偶晶格(格点位于各方格的中心)上画出所有穿过"反平行键"的边。绕任一方格走一圈,自旋必须翻转偶数次才能回到原值,所以每个方格有偶数条反平行键:画出的边在对偶晶格上组成闭合回路——就是畴壁。反过来,对偶晶格上的每个闭合图恰好对应两个自旋组态(整体翻转)。每条反平行键使能量增加 2J,所以
Z=2e2NKG∗ 闭合∑(e−2K)∣G∗∣(18.24)
对偶性。正方晶格的对偶晶格仍然是 N 个格点的正方晶格,所以 (18.23) 与 (18.24) 中出现的是同一个函数 P(x)=∑G 闭合x∣G∣:Z(K)=2N(coshK)2NP(tanhK)=2e2NKP(e−2K)。定义对偶耦合 K∗:
tanhK∗=e−2K,等价地sinh2Ksinh2K∗=1(18.25)
(由 sinh2K∗=1−tanh2K∗2tanhK∗=1−e−4K2e−2K=sinh2K1。)于是温度为 K∗ 时的 P(tanhK∗)=P(e−2K) 与温度为 K 时的配分函数只差一个解析的因子:高温(K 小)与低温(K∗ 大)的热力学一一对应。热力学极限下自由能的奇异性来自 P;如果只有一个临界点,它必须在对偶变换的不动点 K∗=K 上:
sinh2Kc=1,Kc=21ln(1+2)≈0.4407,JkBTc=ln(1+2)2≈2.269(18.26)
(由 tanhK=e−2K,令 y=e−2K:1+y1−y=y,y2+2y−1=0,y=2−1,e2Kc=1+2。)这是克拉默斯与瓦尼尔在 1941 年得到的,比昂萨格的严格解早三年。
昂萨格的严格解(结果引用)。昂萨格(1944)严格计算了正方晶格伊辛模型的零场自由能(推导超出本讲义的范围):
结果引用
−βf=ln2+2π21∫0π∫0πln[cosh22K−sinh2K(cosω1+cosω2)]dω1dω2(昂萨格,1944);自发磁化 m0=[1−sinh−4(2K)]1/8(T<Tc;昂萨格 1948 年宣布,杨振宁 1952 年证明)。
当 ω1=ω2=0 时对数内为 cosh22K−2sinh2K=(sinh2K−1)2,恰在 sinh2K=1 处为零——奇异性的位置与对偶论证一致。由这些结果:
- 热容对数发散:C≈−0.4945NkBln∣1−T/Tc∣;
- m0∝(Tc−T)1/8;
- 进一步可得:磁化率 χ∝∣T−Tc∣−7/4,关联长度 ξ∝∣T−Tc∣−1,临界等温线 h∝m15。
这些与平均场的 1/2、1、3 差别很大。原因是平均场忽略了涨落,而在临界点附近涨落起主导作用(第19章)。昂萨格解第一次严格地证明了:从一个只有近邻相互作用的配分函数出发,可以在热力学极限下得到真正的相变,而且它的临界行为不是平均场式的。
§18.7格气与二元合金
格气。把空间分成 N 个格点,每个格点最多容纳一个分子:占据数 ni∈{0,1},相邻的两个分子有吸引能 −ε。在巨正则系综中(化学势 μ,分子的动能部分并入 μ),需要计算 Ξ=∑{n}exp[βε∑⟨ij⟩ninj+βμ∑ini]。令 ni=(1+si)/2,则 ninj=41(1+si+sj+sisj),
ε⟨ij⟩∑ninj+μi∑ni=4ε⟨ij⟩∑sisj+(4qε+2μ)i∑si+常数
所以格气就是伊辛模型:
J=4ε,h=2μ+4qε(18.27)
对应关系:每个格点的密度 ρ=⟨ni⟩=(1+m)/2;h=0 对应化学势 μ=−qε/2;在这个化学势下,T<Tc 时两个磁化方向 ±m0 对应共存的液相与气相,密度为 (1±m0)/2;伊辛模型的临界点就是格气的液–气临界点,lnΞ(即 pV/kBT)对应于伊辛模型的自由能。所以格气的液–气临界点与伊辛模型有相同的临界指数。真实流体没有格气那样精确的"粒子–空穴对称性"(ρ↔1−ρ,对应 m↔−m),共存曲线并不对称,但第20章将说明,这种不对称在临界点附近是"无关的"。
二元合金。每个格点上是 A 原子(s=+1)或 B 原子(s=−1),近邻原子对的能量为 εAA、εBB、εAB。写成 εss′=c0+c1(s+s′)+c2ss′,比较四种情形可得 c2=(εAA+εBB−2εAB)/4,即
J=42εAB−εAA−εBB
J>0(异种原子相邻能量较高)时,低温下发生相分离(对应铁磁性);J<0 时,低温下 A、B 原子在两套子晶格上交替排列(对应反铁磁性),例如 β 黄铜(CuZn)在约 740 K 发生有序–无序相变。与磁体不同的是,这里 A 原子的总数是固定的,相当于在固定总磁化的系综中研究伊辛模型。
§18.8本章小结
- 伊辛模型 (18.1) 描述铁磁体、格气、二元合金等"两态单元加近邻相互作用"的系统;磁化率等于自旋关联之和 (18.3)。
- 一维伊辛模型可以用转移矩阵严格求解:有限温度下没有相变,关联长度 ξ≈21e2βJ。二维以上存在有序相(佩尔斯论证)。
- 平均场理论给出 kBTc=qJ、居里–外斯定律,以及与范德瓦尔斯方程相同的临界行为;它是自由能的变分上界,在无穷程极限下严格成立。
- 二维正方晶格的 Tc 由对偶性严格确定:sinh(2J/kBTc)=1;昂萨格解给出的临界行为与平均场大不相同。
自测题
- 反铁磁体:二分晶格(可分成 A、B 两套子晶格,每个自旋的 q 个近邻都属于另一套)上 J=−∣J∣。对两套子晶格分别写平均场方程,证明奈尔温度 kBTN=q∣J∣,以及高温下的均匀磁化率 χ=1/[kB(T+TN)](这就是 §P3.2 中的 C/(T+θ))。[提示:mA=tanhβ(h−q∣J∣mB),对称地写出 mB;高温下线性化并令 mA=mB]
- 解平均场方程,求 T=Tc/2 时的自发磁化。[答:m=tanh2m,m≈0.958]
- 由 (18.23),最低阶的闭合图是单个方格。证明高温下每个格点的自由能为 −βf≈ln2+2lncoshK+t4+⋯。
- 由 (18.9) 与 (18.3) 计算一维伊辛模型的 χ,并验证它与 (18.8) 一致(正文已给出,请独立完成)。
这一篇已记为读完。